含13%增值税 | ||
1+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
10+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
100+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
1000+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
10000+: | ¥ 0.0000 / 个 |
属性 | 参数值 | |
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系列 | QFET® | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 有效 | |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 | |
FET 功能 | 标准 | |
漏源极电压(Vdss) | 150V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 36A(Tc) | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 90 毫欧 @ 18A,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 3320pF @ 25V | |
功率 - 最大值 | 294W | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 | |
供应商器件封装 | TO-3PN | |
标准包装 | 30 |
描述: 自营现货 |
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描述: 自营现货 |
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描述: 自营现货 |
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