含13%增值税 | ||
1+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
10+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
100+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
1000+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
10000+: | ¥ 0.0000 / 个 |
属性 | 参数值 | |
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系列 | HEXFET® | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | Not For New Designs | |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 | |
FET 功能 | 标准 | |
漏源极电压(Vdss) | 40V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 10.5A(Ta) | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 15 毫欧 @ 10.5A,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 9250pF @ 25V | |
功率 - 最大值 | 2.5W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
供应商器件封装 | 8-SO | |
标准包装 | 95 | |
其它名称 |
描述: 自营现货 |
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描述: 自营现货 |
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描述: 自营现货 |
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