含13%增值税 | ||
1+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
10+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
100+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
1000+: | ¥ 0.0000 / 个 | |
10000+: | ¥ 0.0000 / 个 |
属性 | 参数值 | |
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系列 | HEXFET®,StrongIRFET™ | |
包装 | 带卷(TR) | |
零件状态 | 有效 | |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | |
FET 功能 | 标准 | |
漏源极电压(Vdss) | 40V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 56A(Tc) | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 5.1 毫欧 @ 55A,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 50µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2110pF @ 25V | |
功率 - 最大值 | 83W | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | * | |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) | |
标准包装 | 2,000 | |
其它名称 |
描述: 自营现货 |
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描述: 自营现货 |
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描述: 自营现货 |
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